DCS直流快速真空热压烧结炉
- 信息介绍
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DCS直流快速真空热压烧结炉用途:
DCS快速真空烧结炉快速压力烧结系统是当今世界上先进的快速热压炉烧结系统之一。具有烧结速度快,样品致密度高等优点,是烧结纳米相材料,梯度功能材料,介孔纳米热电材料,稀土永磁材料,合金玻璃非平衡态材料及生物CA料最有力的工具。
DCS直流快速真空热压烧结炉优势:
(1) 烧结速度快:升温速度最高可达1000°C/min,10-20min便可获得高致密度的样品;
(2) 设备投资少:无需昂贵的脉冲电源,性价比高;
(3) 烧结过程精准可控:所有烧结参数均可精确控制(烧结温度、压制压力、环境气氛等)可靠耐用易操作:
(4) 高质量液晶触摸屏,程序化操作,一键启动完成实验;
(5) 5 烧结温度低,保温时间短,样品晶粒来不及长大,有利于制备纳米晶材料;
设备参数:
1·设备型号:KDCS-50-24
2. 加热容量: 40KVA 380V/ 50Hz
3· 输出参数: DC 0-4000A,DC 0-12V
4·样品尺寸: Φ10~15mm
5· 温度: ≤2400℃
6· 升温速率: ≤1000℃/min
7· 压力: ≤50KN( 伺服电动)
8· 压力波动: ≤±100N
9·位移:≤ 100mm
10· 极限真空度:5Pa 5.0*10-3pa 可选
11· 充气压力: ≤0.03MPa
12 气氛介质: N2(常温,纯度≥99.99%)
13 冷却水: 水压0.2~0.4MPa,水耗量约3-4m3/h
应用领域
金属:Fe、Cu、AI、Au、Ag、Ni、Cr、Mo、Sn、Ti、W、Be;陶瓷氧化物:A1203、MulitexZr02、Mg、Si02、TiO、HfO2;碳化物:SiC、B4C、TaC、WC,ZrC,VC:
氨化物:Si3N4、TaN, TiN, AIN, ZrN, VN;
硼化物:TiB2、HfB2、LaB6、ZrB2、VB2:
氟化物:LiF、CaF2、MgF2;
金属陶瓷:Si3N4+Ni AI203+Ni、ZrO2+Ni、AI203+Ti、SUS+WC/Co、BN+Fe、WC+Co +fe;金属化合物:TiA、MoSi2、Si3Zr5、NiA1、NbCo、NbAl Sm2Co17: